1. FDMC6296
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厂商型号

FDMC6296 

产品描述

MOSFET 30V Sngl NCh Lgc Lvl PowerTrench MOSFET

内部编号

3-FDMC6296

#1

数量:20197
1+¥6.2411
25+¥5.8558
100+¥5.6246
500+¥5.3935
1000+¥5.0853
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:20197
1+¥6.2411
25+¥5.8558
100+¥5.6246
500+¥5.3935
1000+¥5.0853
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:0
最小起订量:1
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FDMC6296产品详细规格

规格书 FDMC6296 datasheet 规格书
FDMC6296
FDMC6296 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 19nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2141pF @ 15V
功率 - 最大 900mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-WDFN
供应商器件封装 8-MLP (3.3x3.3)
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 0.75(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 900
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 10.5@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
包装宽度 3.3
筛选等级 Commercial
供应商封装形式 Power 33
包装长度 3.3
PCB 8
最大连续漏极电流 11.5
引脚数 8
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 3,000
供应商设备封装 8-MLP (3.3x3.3)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 900mW
封装/外壳 8-WDFN
输入电容(Ciss ) @ VDS 2141pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 19nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Quad Drain, Triple Source
外形尺寸 3.3 x 3.3 x 0.75mm
身高 0.75mm
长度 3.3mm
最大连续漏极电流 11.5 A
最大漏源电阻 17 mΩ
最大漏源电压 30 V
最大门源电压 ±20 V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2.1 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 MLP
典型栅极电荷@ VGS 14 nC V @ 5
典型输入电容@ VDS 1610 pF V @ 15
典型关闭延迟时间 27 ns
典型导通延迟时间 10 ns
宽度 3.3mm
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :11.5A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.0087ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.8V
功耗 :2.1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :MLP
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85414090

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