规格书 |
FDMC6296 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 19nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2141pF @ 15V |
功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-WDFN |
供应商器件封装 | 8-MLP (3.3x3.3) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.75(Max) |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 900 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 10.5@10V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 3.3 |
筛选等级 | Commercial |
供应商封装形式 | Power 33 |
包装长度 | 3.3 |
PCB | 8 |
最大连续漏极电流 | 11.5 |
引脚数 | 8 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 11.5A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | 8-MLP (3.3x3.3) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 900mW |
封装/外壳 | 8-WDFN |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2141pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 19nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Quad Drain, Triple Source |
外形尺寸 | 3.3 x 3.3 x 0.75mm |
身高 | 0.75mm |
长度 | 3.3mm |
最大连续漏极电流 | 11.5 A |
最大漏源电阻 | 17 mΩ |
最大漏源电压 | 30 V |
最大门源电压 | ±20 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 2.1 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | MLP |
典型栅极电荷@ VGS | 14 nC V @ 5 |
典型输入电容@ VDS | 1610 pF V @ 15 |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
宽度 | 3.3mm |
晶体管极性 | :N Channel |
Continuous Drain Current Id | :11.5A |
Drain Source Voltage Vds | :30V |
On Resistance Rds(on) | :0.0087ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :1.8V |
功耗 | :2.1W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :MLP |
No. of Pins | :8 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Weight (kg) | 0.0005 |
Tariff No. | 85414090 |
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